欠电压保护

产生欠电压的原因及处理方法：

① 电源电压太低

② 电源缺相；

③ 整流桥故障：如果六个整流二极管中有部分因损坏而短路，整流后的电压将下降，对于整流器件和晶闸管的损坏，应注意检查，及时更换。

普通晶闸管SCR 曾称可控硅，它有三个极：阳极，阴极和门极。

SCR的工作特点是，当在门极与阴极间加一个不大的正向电压（G为+，K为—）时，SCR即导通，负载Rl中就有电流流过。导通后，即使取消门极电压，SCR仍保持导通状态。只有当阳极电路的电压为0或负值时，SCR才关断。所以，只需要用一个脉冲信号，就可以控制其导通了，故它常用于可控整流。

作为一种无触点的半导体开关器件，其允许反复导通和关断的次数几乎是无限的，并且导通的控制也十分方便。这是一般的“通-断开关”所望尘莫及的，从而使实现异步电动机的变频调速取得了突破。但由于变频器的逆变电路是在直流电压下工作的，而SCR在直流电压下又不能自行关断，因此，要实现逆变，还必须增加辅助器件和相应的电路来帮助它关断。所以，尽管当时的变频调速装置在个别领域（如风机和泵类负载）已经能够实用，但未能进入大范围的普及应用阶段。

工作时状态 和普通晶体管一样，GTR也是一种放大器件，具有三种基本的工作状态：

⑴放大状态 起基本工作特点是集电极电流Ic的大小随基极电流Ib而变 Ic=βIb 式中β------GTR的电流放大倍数。

GTR处于放大状态时，其耗散功率Pc较大。设Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA（0.2A）计算如下：Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵饱和状态 Ib增大时，Ic随之而增大的状态要受到欧姆定律的制约。当βIb>Uc/Rc 时，Ic=βIb的关系便不能再维持了，这时，GTR开始进入“饱和"状态。而当Ic的大小几乎完全由欧姆定律决定，即 Ics≈Uc/Rc 时，GTR便处于深度饱和状态（Ics 为饱和电流）。这时，GTR的饱和压降Uces约 为1-5V。

GTR处于饱和状态时的功耗是很小的。上例中，设Uces=2V，则 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesIcs=2*20W=40W

可见，与放大状态相比，相差甚远。

⑶截止状态 即关断状态。这是基极电流Ib≤0的结果。

在截止状态，GTR只有很微弱的漏电流流过，因此，其功耗是微不足道的。

GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，工作过程中，总是在饱和状态间进行交替。所以，逆变用的GTR的额定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR处于放大状态，其功耗将增大达百倍以上。所以，逆变电路中的GTR是不允许在放大状态下小作停留的。

在VVVF的实施，有两种基本的调制方法：

1.脉幅调制 （PAM） 逆变器所得交流电压的振幅值等于直流电压值（Um=Ud)。因此，实现变频也是变压的容易想到的方法，便是在调节频率的同时，也调节直流电压；

这种方法的特点是，变频器在改变输出频率的同时，也改变了电压的振幅值，故称为脉幅调制，常用PAM(Pulse Amplitude Modulation)表示。 PAM需要同时调节两部分：整流部分和逆变部分，两者之间还必须满足Ku和Kf间的一定的关系，故其控制电路比较复杂。

2.脉宽调制（PWM） 把每半个周期内，输出电压的波形分割成若干个脉冲波，每个脉冲的宽度为T1，每两个脉冲间的间隔宽度为T2，那么脉冲的占空比Υ=T1/（T1+T2）。

这时，电压的平均值和占空比成正比，所以在调节频率时，不改变直流电压的幅值，而是改变输出电压脉冲的占空比，也同样可以实现变频也变压的效果。当电压周期增大（频率降低），电压脉冲的幅值不变，而占空比在减小，故平均电压降低。

此法的特点是，变频器在改变输出频率的同时，也改变输出电压的脉冲占空比（幅值不变）故称为脉宽调制，常用PWM(Pulse width modulation)表示。

PWM只须控制逆变电路便可实现，与PAM相比，控制电路简化了许多。